Vishay推出采用PowerPAK® 1212 8S封装的-30 V P沟道MOSFET，RDS(ON)达到业内最低水平，提高功率密度，降低便携式电子设备功耗
2020-02-12 08:51:22
来源：Vishay
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。于此同时，导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET在开关应用的重要优值系数（FOM）为172 mW*nC，达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。
