Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率

2019-12-11 10:35:41 来源:Vishay
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。
 
日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器件,比这一封装尺寸排名第二的产品低42.5%,比Vishay上一代器件低89%。
 
从而降低电源通道压降,减小功耗,提高效率。为提高功率密度,SiSF20DN的RS1S2(ON) 面积乘积低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %,甚至包括6 mm x 5 mm较大封装解决方案。
 
为节省PCB空间,减少元件数量并简化设计,该器件采用优化封装结构,两个单片集成TrenchFET® 第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列,加大连接提高PCB接触面积,与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关,包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视和烟雾报警器。
 
SiSF20DN进行了100 % Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
 
新型MOSFET现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为30周。


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