台积电:7nm和5nm性能增强版制程已使用

2019-08-01 08:45:45 来源:中关村在线
台积电今年的日子可以说是结果的风生水起,近日,根据日本媒体报道,在日本举办的 2019 VLSI 研讨会上,台积电透露部分客户已可以用上 7nm 深紫外和 5nm 极紫外性能增强版本制造工艺。




据悉,N7P 采用经过验证的深紫外(DUV)光刻技术。与 N7 相比,它没有增加晶体管的密度。需要高出约 18~20% 晶体管密度的客户,预计需要使用台积电的 N7+ 和 N6 工艺 —— 后者使用极紫外(EUV)光刻技术进行多层处理。
 

尽管 N7 和 N6 都是未来几年的“长”节点,但台积电会在下一个 N5 节点带来显著的密度、功耗和性能改进。


免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,转载目的在于传递更多信息,并不代表EETOP赞同其观点和对其真实性负责。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时联系我们,我们将在第一时间删除!

  1. EETOP 官方微信

  2. 创芯大讲堂 在线教育

  3. 创芯老字号 半导体快讯

相关文章

全部评论

  • 最新资讯
  • 最热资讯
@2003-2024 EETOP
×