3D QLC
英特尔认为，TLC闪存也会被取代，QLC未来是要担大任的，并且表示他们的技术已经做到了让QLC闪存的电压控制跟TLC闪存一个级别，所以在使用寿命方面并不用过多担忧。
此外，Intel还提到在NAND闪存上他们起步要落后于三星等公司，但在3D NAND闪存时代追上来了，QLC闪存直接使用了64层堆栈，单核心容量就有1024Gb，预计2020年则会推出128层堆栈的QLC闪存。
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