三星电子在稍早正式量产20纳米Mobile DRAM，此举有望拉开与竞争对手的技术差距。（SK海力士(SK Hynix)预计在下半年正式量产20纳米中段制程产品，恐怕要等到2015年才有望能成功研发20纳米产品）尤其在竞争对手们仍停留在20纳米中段制程的情况下，随着三星在20纳米时代下画上句点，分析认为，三星将有望可以在2015年前进10纳米时代，拉开与对手的技术差距。
韩媒edaily指出，三星继稍早3月投产的PC用20纳米4Gb DDR3 DRAM，此次将20纳米制程扩大到Mobile DRAM。采用20纳米制程的产品可以提升30%以上的生产力，而电力消耗量也可以节省10%以上。
更多而三星透过此次研发20纳米DRAM，将可以大幅减少成本。尤其是从2014年开始，Mobile DRAM需求超越PC用DRAM，三星半导体业绩有望大幅改善。根据朝鲜日报引用市调机构DRAMeXchange资料指出，2014年Moblie DRAM出货量比重，将以36%首度超越PC用DRAM的30%。
三星则是计划透过20纳米产品，抢占大容量Mobile DRAM市场。三星记忆体事业部行销团队常务白志浩(音译)自信满满的表示，此次推出的20纳米Mobile DRAM将能称霸高性能Mobile DRAM市场，未来将会搭载在旗舰智慧型手机、平板电脑、穿戴式装置等产品上。
三星从2006年开始研发50纳米级DRAM后，在2010年进展到30纳米级，2011年时则推进到20纳米级微细制程。edaily指出，三星在2014年正式量产20纳米产品后，极有可能率先进入10纳米级时代。
随着三星研发出改良型的双图样微影技术(Double Patterning)，透过既有设备做好量产10纳米级产品的准备。南韩半导体业界预估，三星将会在2015年研发出10纳米级产品，并在2016年开始投产。
