美光和英特尔联合推出3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存

2010-08-20 20:18:13 来源:本站原创

美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 和英特尔公司 (Intel Corporation)今天联合推出25纳米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存,该 NAND 设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。两家公司已将初始产品样品送到部分客户手中。美光与英特尔预计在今年年底时量产该产品。 

与竞争对手 USB、SD (Secure Digital) 闪存卡和消费电子产品相比,新推出的 25nm 64Gb 3bpc 存储设备的性价比更高且存储量更大。闪存主要用于存储数据、照片或其它多媒体,如计算机应用和数码设备(数码相机、便携式媒体播放器、便携式数码摄像机和各类个人电脑)之间的数据捕捉和传输。这些市场一直处在以更低成本提供更高存储容量产品的压力之下。

由双方合资组建的 NAND 闪存公司IM Flash Technologies(简称 IMFT) 所开发的这项 64Gb(或8GB)25nm 光刻技术,可提供每单位3比特的信息容量,而传统技术只能提供1比特(单层存储单元)或2比特(多层存储单元)。业内也将3bpc称为三层存储单元(triple-level cell, 简称 TLC)。

该设备的尺寸与美光和英特尔容量相同的 25nm MLC(多层存储单元)相比,体积要小20%以上,是目前市场上最小的单个 8GB 设备。从产品固有的紧凑型设计上看,小尺寸闪存对消费终端产品闪存卡显得尤为重要。芯片面积为131平方毫米,符合行业标准 TSOP(薄型小尺寸封装)封装。
美光 NAND 解决方案事业部副总裁 Brian Shirley 说:“鉴于 NAND 闪存对消费电子产品的重要性日益显著,我们将及早向 25nm TLC 过渡视为不断扩大 NAND 存储产品组合的一大竞争优势。我们已经在努力根据包括 Lexar Media(雷克沙)和美光的更高容量终端产品的设计,来打造符合要求的 8GB TLC NAND 闪存产品。”

英特尔副总裁兼NAND 解决方案事业部总经理 Tom Rampone 表示:“自业界尺寸最小的 25nm 芯片在1月问世,25nm 3bpc 产品也紧随其后,我们将继续加速向前发展,为客户提供一系列卓越的领先产品。Intel 计划在新推出的 8GB TLC 25nm NAND 设备的基础上,利用 IMFT 在设计和制造上的优势,为我们的客户打造更高密度、更具成本竞争力的产品。”

  1. EETOP 官方微信

  2. 创芯大讲堂 在线教育

  3. 创芯老字号 半导体快讯

相关文章

全部评论

  • 最新资讯
  • 最热资讯
@2003-2024 EETOP
×