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n16名词小注
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WPE Well Proximity Effect
nwell/pwell 与 pmos nmos 的距离会影响管子的阈值，原因在于，阱注入的时候，阱的侧壁造成散射，让阱边界附近的杂质浓度在 与 阱中心区域的杂质浓度不一致，从而造成做在阱里的mos管的阈值差异.
对于n16工艺，只有core NMOS 在水平方向的WPE需要注意，其他MOS的WPE可忽略（原因暂时不知）
CPO 当nmos,pmos 非常靠近CPO，造成两个管子的有效poly长度不一致，他们的Ld电流将不一致，在做match时需要注意
LOD length of OD
OD边界 到 gate 的距离会影响管子的阈值和饱和电流，在做match时需要注意
OSE OD space effect
OD 间距会影响管子性能，匹配时注意保持器件的OD间距一致
MBE metal boundary effect
此处的metal指的是 gate metal, 对于nmos/pmos，gate metal 上覆盖的NP/PP 层边界，也会影响管子的阈值和饱和电流，原因不知。
属于n16特有的特性并不多
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