n16名词小注

上一篇 / 下一篇  2017-04-12 18:03:45

WPE  Well Proximity Effect
nwell/pwell  与 pmos nmos 的距离会影响管子的阈值,原因在于,阱注入的时候,阱的侧壁造成散射,让阱边界附近的杂质浓度在 与 阱中心区域的杂质浓度不一致,从而造成做在阱里的mos管的阈值差异.
对于n16工艺,只有core NMOS 在水平方向的WPE需要注意,其他MOS的WPE可忽略(原因暂时不知)

CPO 当nmos,pmos 非常靠近CPO,造成两个管子的有效poly长度不一致,他们的Ld电流将不一致,在做match时需要注意

LOD  length of OD
OD边界  到  gate 的距离会影响管子的阈值和饱和电流,在做match时需要注意

OSE  OD  space  effect
OD 间距会影响管子性能,匹配时注意保持器件的OD间距一致

MBE metal boundary effect
此处的metal指的是 gate metal, 对于nmos/pmos,gate metal 上覆盖的NP/PP 层边界,也会影响管子的阈值和饱和电流,原因不知。

属于n16特有的特性并不多

TAG:

 

评分:0

我来说两句

显示全部

:loveliness: :handshake :victory: :funk: :time: :kiss: :call: :hug: :lol :'( :Q :L ;P :$ :P :o :@ :D :( :)

我的栏目

日历

« 2017-07-27  
      1
2345678
9101112131415
16171819202122
23242526272829
3031     

数据统计

  • 访问量: 374
  • 日志数: 4
  • 建立时间: 2017-04-12
  • 更新时间: 2017-05-25

RSS订阅

Open Toolbar