引用:http://baike.baidu.com/link?url=A4_2K7PY7ntuEv_p7PkvsFHPu4w5_HIGmoxUUeeC80Xge8IZ6lZQjMnSdDQlsDFkm3ej9VbwEx8VVN_5PnT9La
迁移率是指载流子(电子和
空穴)在单位电场作用下的平均
漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。更微观的定义是
,
是载流子有效质量,
电子碰撞时间间隔。电子运动速度等于迁移率乘以电场强度
,也就是说相同的电场强度下,载流子迁移率越大,运动得越快;迁移率小,运动得慢。同一种
半导体材料中,载流子类型不同,迁移率不同,一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下,低掺杂
硅材料中,电子的迁移率为1350
(很明显用公式排版不好看,建议百度改进),而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。
迁移率主要影响到晶体管的两个性能:
一是载流子浓度一起决定半导体材料的
电导率(电阻率的倒数)的大小。迁移率越大,电阻率越小,通过相同电流时,功耗越小,电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率,因此,功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构,而不采用空穴作为载流子的p沟道结构。
二是影响器件的工作频率。双极晶体管
频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越
基区的时间。迁移率越大,需要的渡越时间越短,晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比,因此提高载流子迁移率,可以降低功耗,提高器件的电流承载能力,同时,提高晶体管的开关转换速度。
一般来说P型半导体的迁移率是N型半导体的1/3到1/2.。
迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数,它决定
半导体材料的
电导率,影响器件的工作速度。已有很多文章对
载流子迁移率的重要性进行研究,但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。迁移率 μ 的相关概念在半导体材料中,由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动,当外加电压时,导体内部的载流子受到
电场力作用,做定向运动形成电流,即
漂移电流,定向运动的速度成为
漂移速度,方向由载流子类型决定。在
电场下,载流子的平均漂移速度v 与电场强度E 成正比为:
v=μE
式中 μ 为载流子的漂移迁移率,简称迁移率,表示单位电场下载流子的平均漂移速度,单位是 m2/Vs 或 cm2/Vs。
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,
半导体材料的导电率越高。迁移率的大小不仅关系着导电能力的强弱,而且还直接决定着载流子运动的快慢。它对半导体器件的工作速度有直接的影响。
电导率和迁移率之间的关系为
。也就是在一定的电子浓度n 和电荷量的情况下,电子迁移率和电导率是正相关的。
[1] 在恒定电场的作用下,载流子的平均漂移速度只能取一定的数值,这意味着半导体中的载流子并不是不受任何阻力,不断被加速的。事实上,载流子在其热运动的过程中,不断地与晶格、杂质、缺陷等发生碰撞,无规则的改变其运动方向,即发生了散射。无机晶体不是理想晶体,而有机半导体本质上既是非晶态,所以存在着晶格散射、电离杂质散射等,因此载流子迁移率只能有一定的数值。