安谱隆半导体将在IMS会议上展示LDMOS和GaN射频功放产品组合及大功率射频解决方案

2017-05-16 17:05:02 来源：未知

安谱隆半导体（Ampleon）今天宣布参加即将举行的国际微波研讨会（IMS）。

Ampleon将在914号展台展示其适用于移动宽带、广播、工业、雷达和航空电子以及射频能量应用的最新射频功率器件和模块。

移动宽带的产品演示包括多款采用Ampleon最新32V和50V LDMOS和GaN工艺的、面向基站、小基站和大规模MIMO应用的功率放大器，以及一款同时覆盖2.3至2.7GHz（频带40和41）的、采用基于赛灵思公司（Xilinx）16nm Zynq® UltraScale+™ MPSoC器件的Xilinx DPD解决方案进行线性化的多频段功率放大器。

其他应用包括一个400W S波段pallet、一个900W UHF广播设计和一个2,000W 127MHz ISM频段放大器。此外，一款集成了射频能量应用用传感功能的433MHz、200W的pallet也将进行展示。

Ampleon的LDMOS产品组合包括宽带器件、Doherty放大器用晶体管、专为工业、科学和医疗（ISM）应用设计的、非常坚固耐用的大功率器件，以及民用雷达用晶体管等。SiC基GaN产品阵容包括大功率宽带器件和驱动器等。

除了其最新产品和解决方案的广泛阵容外，Ampleon公司的工作人员也积极参与了会议计划。

Sergio Pires将于6月4日（星期日）在6号会议上（分配位置将在现场提供）出席题为“5G系统功率放大器创新（Power Amplifier Innovations for 5G systems）”的研讨会。

Xavier Moronval作为IMS行业论文大赛决赛入围者之一，将会在6月6日（星期二）上午10:10至11:50在316A室发表他的论文（编号：TU2G-2）“一种基于新型3Wa 1:2:1 Doherty结构的、为小基站提供最佳效率的紧凑型60W MMIC放大器（A Compact 60 W MMIC Amplifier Based on a Novel 3-Wa 1:2:1 Doherty Architecture with Best-in-Class Efficiency for Small Cells）”。

Andre Prata将于6月6日（星期二）下午15:40至17:10在夏威夷会展中心（Hawai’i Convention Center）的俯瞰大厅（overlook concourse）发表他的论文（编号：TUIF3-17）“迈向面向5G的无环形器多天线发射器（Towards Circulator-Free Multi-Antenna transmitter for 5G）”。

Raheem Qureshi将于6月8日（星期四）下午13:30至15:00在夏威夷会展中心的俯瞰大厅发表他的论文（编号：THIF2-10）“具有对封装集成式负载不敏感的E类器件的高效率射频功率放大器（High efficiency RF Power Amplifiers featuring package integrated load insensitive Class-E devices）”。

关键词：

EETOP 官方微信
创芯大讲堂在线教育
创芯老字号半导体快讯

上一篇：Vishay 推出新系列厚膜表面贴装的卷包
下一篇：Qualtera Silicondash方案被展讯通信

全部评论

最新资讯
最热资讯

业界最热文章

一名普通员工赚了4.5亿元！

IT工程师薪资全球排名：中国超越日本！

安谱隆半导体将在IMS会议上展示LDMOS和GaN射频功放产品组合及大功率射频解决方案

相关文章

全部评论