双极型晶体管的基本结构--BJT Bipolar Junction Transistor

      NPN型三极管的结构

      N：集电极C，集电区与基区的较大接触面积，掺杂浓度最低；

      P：基级B，基区薄，掺杂浓度次之；

      N+：发射极E，高掺杂浓度；

    正常工作条件下，发射结正向偏置，集电结反向偏置。

    双极晶体管的工作模式

•  正常放大，正向有源：正偏（发射极-基级），反偏（集电极-基级）

•  饱和：正偏（发射极-基级），正偏（集电极-基级）

•  截止：反偏（发射极-基级），反偏（集电极-基级）

•  反向：反偏（发射极-基级），正偏（集电极-基级）

    当发射结正偏，p-n结电流由电子电流和空穴电流组成，电子被注入到基区，然后扩散通过基区，最后被集电区收集。基区（p型）对电子呈现势垒，不会收集电子。发射结加正偏压，pn结势垒降低，有利于多数载流子（电子）从发射区流向基区，形成发射电流。

如下资料来源：https://blog.csdn.net/su165108515/article/details/130629492

    NPN型的三极管叫N管，PNP型的三极管叫P管。

    N型三极管是依靠BE极之间的电流I_b来控制CE极之间的导通与断开的。Ib和Ic之间存在放大关系：I_b*β=I_c,不同三极管，放大倍数不同，一般情况下，β的范围30~300。BE极之间相当于一个二极管，在BE极上加一个电源，当电源电压高于0.7V，BE这个二极管导通；当E极电位高于B极电位，BE之间的二极管反向截止。

    三极管的流控流型的器件，I_b电流控制I_c电流（N、P一样的）。

    三极管导通，必须有I_b电流，没有I_b电流，三极管截止。

    如下图，在BE极之间加上电压，BE之间形成回路，再加上限流电阻。

    电源电压为0.6V ，回路中无I_b电流；要想二极管导通，电压必须要＞0.7V，三极管导通的条件是BE极之间的电压差V_be＞0.7V，当I_b回路导通时，V_be就会被钳位0.7V（二极管的钳位特性）。

    判断三极管是放大还是饱和，看I_b电流和I_c电流是不是满足β关系，满足则为放大状态，不满足则为饱和状态。

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   PNP型三极管的结构