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拉扎维-模拟CMOS集成电路设计，2nd（6-1）
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字不好看，哎，幸好自己能看懂。我是在实验室扫描成图片后上传的，这样要比在编辑器敲字节约时间，点击图片可以放大看，其中有些公式待推导，以后会补上。
我觉得今日读书学到以下几点：
（1）密勒定理成立是有条件的，单通路不一定成立；
（2）密勒近似可能导致零点的缺失或多余极点；
（3）密勒近似不能用来求解输出阻抗，求解近似输入阻抗是可以的；
（4）低压设计，MOS的fT将减小；
（5）构成“环路”的三个电容，其实只表现出两个极点的二阶响应；
（6）主极点近似法；
（7）密勒近似失效的原因（负载电容过大！）；
（8）计算零点的一种简便方法。
==============以下是图片格式读书笔记=============
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