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双极型晶体管的基本结构--BJT Bipolar Junction Transistor
NPN型三极管的结构
N:集电极C,集电区与基区的较大接触面积,掺杂浓度最低;
P:基级B,基区薄,掺杂浓度次之;
N+:发射极E,高掺杂浓度;
正常工作条件下,发射结正向偏置,集电结反向偏置。
双极晶体管的工作模式
正常放大,正向有源:正偏(发射极-基级),反偏(集电极-基级)
饱和:正偏(发射极-基级),正偏(集电极-基级)
截止:反偏(发射极-基级),反偏(集电极-基级)
反向:反偏(发射极-基级),正偏(集电极-基级)
当发射结正偏,p-n结电流由电子电流和空穴电流组成,电子被注入到基区,然后扩散通过基区,最后被集电区收集。基区(p型)对电子呈现势垒,不会收集电子。发射结加正偏压,pn结势垒降低,有利于多数载流子(电子)从发射区流向基区,形成发射电流。
如下资料来源:https://blog.csdn.net/su165108515/article/details/130629492
NPN型的三极管叫N管,PNP型的三极管叫P管。
N型三极管是依靠BE极之间的电流Ib来控制CE极之间的导通与断开的。Ib和Ic之间存在放大关系:Ib*β=Ic,不同三极管,放大倍数不同,一般情况下,β的范围30~300。BE极之间相当于一个二极管,在BE极上加一个电源,当电源电压高于0.7V,BE这个二极管导通;当E极电位高于B极电位,BE之间的二极管反向截止。
三极管的流控流型的器件,Ib电流控制Ic电流(N、P一样的)。
三极管导通,必须有Ib电流,没有Ib电流,三极管截止。
如下图,在BE极之间加上电压,BE之间形成回路,再加上限流电阻。
电源电压为0.6V ,回路中无Ib电流;要想二极管导通,电压必须要>0.7V,三极管导通的条件是BE极之间的电压差Vbe>0.7V,当Ib回路导通时,Vbe就会被钳位0.7V(二极管的钳位特性)。
判断三极管是放大还是饱和,看Ib电流和Ic电流是不是满足β关系,满足则为放大状态,不满足则为饱和状态。
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PNP型三极管的结构