日志
VCO线性度-2
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上一篇出现了频率缩水的问题，主要是因为对管的寄生电容的影响，因此重新设计电容阵列，方法1：原来的电容阵列是以600M的调频范围去设计的，最后仿真得到的调频范围只有360M，因此增大设计冗余度，以1G的调频范围来计算出新的电容阵列值，最后仿真得到的调频范围为480M。依旧不满足600M的要求；
方法2：仍然按照600M的调频范围来计算电容阵列值，在实际电路中采用两倍的计算值，得到的频率范围有600M；
设计了采用二进制权重法的电容阵列来对比线性度和相噪，可以看出线性度得到较好的提高，但是相噪却差了1dB左右；
分析原因：应该是线性化需要6组电容开关，并且为了节省面积，使用与或逻辑重复利用了一些电容阵列，因此相对二进制权重法阵列的4组开关，多出了很多有源器件。相噪因此降低！
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