除了英特尔有些难产之外，台积电、三星早就量产了10nm工艺，目前正在争夺7nm工艺制高点，再加上Globalfoundries，这四强代表了半导体制造工艺的巅峰。最近几天台积电在南京建设的晶圆厂已经开始出货，使用的是16nm工艺，这是国内技术水平最高的工艺，不过能代表大陆自主技术水平的还是中芯国际、华虹半导体的28nm工艺。来自中芯国际的消息称，国产14nm工艺预计在2019年上半年量产，同时中芯国际力争用10年时间进入第一梯队。
北京日报日前报道了中芯国际，提到了中芯国际在晶圆厂、半导体装备、制造工艺等方面的一些进展。以半导体制造装备为例，中国新建的晶圆厂绝大多数装备都是进口的，10块钱的装备有9.8元都进入了国外厂商的口袋。
除了大家经常听到的光刻机之外，还有离子蚀刻机、离子注入机、光学抛光机、快速退火设备等等，在这方面中芯国际也积极支持国产装备，过去七年中国产半导体装备的占有率从1%提高到了15%。
与此同时，中芯国际还在不断缩小与国外先进工艺的差距，按照原文的说法，中国集成电路先进制造工艺已经从之前落后国际4到5代缩小到了1-2代的差距，中芯国际的14nm工艺预计会在2019年上半年量产。
对于国产14nm工艺，这是2015年比利时国王访华时中比双方签订的一系列合作之一，比利时有全球著名的IMEC比利时微电子中心，在先进半导体工艺上具备丰富的经验，当时中芯国际、华为以及高通联合IMCE签署了合作协议，研发14nm FinFET制造工艺，预定目标是2020年之前量产，现在来看进度还是OK的。
不过协议签署时国内还没有28nm以下的先进工艺，此后台积电宣布在南京建设16nm工艺晶圆厂，2016年正式动工，原本预计今年下半年量产，不过工程进展很快，上半年就已经正式量产了，所以中芯国际的14nm在国内市场也会遭遇台积电的强力竞争，而且后者在量产时间、工艺成熟度上显然更有优势。
尽管如此，在14nm量产之后，中国半导体工艺与世界先进水平的差距确实大大缩小了，28nm、14nm以及未来的7nm都是高性能节点，会长期存在，所以只要能量产出来，对发展国产高性能芯片都是有益的。
中芯国际CEO周子学此前在一次内部会议上表示中芯国际将用10年时间争取进入世界第一梯队。
