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STI 之前的隔离技术是LOCOS(local oxidation of silicon)隔离,当技术发展到0.25um以下时,一般要用到STI技术。 STI取代LOCOS的原因有: 1. 与LOCOS相比,STI的漏电流小,结电容小,有利于提高电路性能。 2. LOCOS隔离很容易出现“鸟嘴”现象。 3. LOCOS表面的平坦效果也不佳 4. LOCOS的Field oxide 厚度有限 5. STI技术中的field oxide 所占面积比LOCOS小得多,所以可以获得很高的器件密度
STI的工艺流程包括: 1. Pad oxide deposition 2. SiN deposition 3. Trench Etch 4 liner oxide deposition 5. Thermal anneal 6. HDP deposition 7. Thermal Anneal 8. STI CMP 9. Nitiride removal |