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STI工艺介绍

热度 1已有 8604 次阅读| 2010-1-18 14:31

CMOS工艺在0.35um以上器件隔离都是用thick field oxide,但到了0.25um以下用Shallow Trench Isolation(STI)来做隔离,请问STI具体是什么材料及它的工艺步骤?会用到那层光照(我认为还是有源区的光照)?与thick field oxide相比,STI隔离有何优点,在设计中特别是layout中可有啥要注意的?

STI 之前的隔离技术是LOCOSlocal oxidation of silicon)隔离,当技术发展到0.25um以下时,一般要用到STI技术。

STI取代LOCOS的原因有:

1. LOCOS相比,STI的漏电流小,结电容小,有利于提高电路性能。

2. LOCOS隔离很容易出现鸟嘴现象。

3. LOCOS表面的平坦效果也不佳

4. LOCOSField oxide 厚度有限

5. STI技术中的field oxide 所占面积比LOCOS小得多,所以可以获得很高的器件密度

STI的工艺流程包括:

1. Pad oxide deposition

2. SiN deposition

3. Trench Etch

4 liner oxide deposition

5. Thermal anneal

6. HDP deposition

7. Thermal Anneal

8. STI CMP

9. Nitiride removal

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