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双极型晶体管的基本结构--BJT Bipolar Junction Transistor
NPN型三极管的结构
N:集电极C,集电区与基区的较大接触面积,掺杂浓度最低;
P:基级B,基区薄,掺杂浓度次之;
N+:发射极E,高掺杂浓度;
正常工作条件下,发射结正向偏置,集电结反向偏置。
双极晶体管的工作模式
正常,正向有源:正偏(发射极-基级),反偏(集电极-基级)
饱和:正偏(发射极-基级),正偏(集电极-基级)
截止:反偏(发射极-基级),反偏(集电极-基级)
反向:反偏(发射极-基级),正偏(集电极-基级)
当发射结正偏,p-n结电流由电子电流和空穴电流组成,电子被注入到基区,然后扩散通过基区,最后被集电区收集。基区(p型)对电子呈现势垒,不会收集电子。发射结加正偏压,pn结势垒降低,有利于多数载流子(电子)从发射区流向基区,形成发射电流。