ROHM旗下的LAPIS Semiconductor公司开发出128Mbit NOR Flash存储器“MR29V12852B”

2016-04-13 21:45:17 来源：未知

ROHM集团旗下的LAPIS Semiconductor公司（蓝碧石半导体）开发出128Mbit NOR Flash存储器“MR29V12852B”，该产品非常适用于对品质有高要求的车载设备和工业设备的数据存储介质。

Flash存储器根据存储数据的存储单元的排列形式不同而分为NAND型和NOR型两种。NAND型的特征是每比特的价格相对便宜，多用作手机、数码相机、数码音响等保存数字数据的存储介质；NOR型的特征是存储数据的可靠性高，多用作品质要求高的车载设备、工业设备等保存固件的存储介质。

包括Flash存储器在内的非易失性存储器，毋庸置疑会有偶发数据错误的可能性。尤其在品质要求高的车载设备和工业设备中，为了系统的稳定工作，必须采取有效预防这种数据错误引发的程序误运行或误停止的措施。

本LSI作为128Mb NOR Flash存储器，业界首次内置纠错码电路和输出驱动能力调整电路，通过替换现有存储器，可轻松且以低成本实现系统上的数据错误对策。该产品非常适用于品质要求高的车载设备和工业设备，有助于系统的稳定工作和降低成本。

现在，样品已开始出售，电路设计、测试程序设计、评估等Flash存储器开发在蓝碧石半导体（新横滨技术中心）实施，生产将委托海外合作伙伴Fab实施，预计于2016年11月开始投入量产并批量销售。

今后，蓝碧石半导体还会继续完善NOR Flash存储器的产品阵容，满足品质要求高的客户需求。

＜背景＞

Flash存储器的数据错误原因中，包括引起存储器读取数据错误（误码）、信号延迟及波形失真的数据交换时产生的电磁噪声（辐射干扰）等。Flash存储器的数据错误会引起Flash存储器与其控制器间的数据通信错误，从而影响系统的可靠性。要想打造可靠性高的系统，需要在PCB板设计、零部件配置及其评估过程中考虑减少误码的误码纠正功能及对外围电路的噪音干扰对策。蓝碧石半导体开发出的NOR Flash存储器，内置有纠错码电路与作为PCB板上辐射干扰对策的驱动能力调整电路，而且与其他公司产品具有兼容性，无需改变当前系统的结构，仅需替换现有存储器即可轻松实现系统的稳定工作。

新产品详情＞

１．仅需替换现有产品，即可轻松增加误码纠正功能

一直以来，系统要具备误码纠正功能，需要在现有存储器产品的基础上增加纠错码电路和纠错码用的奇偶校验位存储器。本LSI通过内置纠错码电路和纠错码用奇偶校验位Flash存储器作为误码对策，客户无需新增所需元器件即可增加误码纠正功能。另外，还与一般的NOR Flash存储器产品具有兼容性。因此，替换为本LSI非常容易，无需在当前系统增加零部件即可建立具有误码纠正功能的系统。

使用本LSI，效果因系统的规模、所采用的纠错码电路结构而异，但仅在当前系统上将现有产品替换为本LSI，预计按单纯的零部件增加成本比较，即可节约5%(*)左右的成本。

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2．内置输出驱动能力调整功能，减少辐射干扰

本LSI为了减少NOR Flash工作时产生的PCB板上辐射干扰，并改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性，搭载了用来改变数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调整电路。不仅可根据客户系统结构优化电流驱动能力，还可减少辐射干扰对策用配件、阻尼电阻配件及安装成本。另外，输出驱动能力调整电路在产品出货时即以固定规格提供给客户，因此客户仅需使用现有的Flash控制器即可调整输出驱动能力。

(*)：蓝碧石半导体调查数据

【规格概要】

项目	规格
存储器组成	8,388,608×16bit, 16,777,216×8bit
数据总线组成	字(16bit)、字节(8bit)切换
扇区组成	128K字节单一
电源电压	2.7-3.6V
工作温度范围	-40℃～+85℃
存储器访问	70nS (随机访问)、 25nS( 页面访问)
消耗电流 (Typ)	读取时20mA (at 5MHz)，待机时 30uA
保护	WP#控制、软件控制
封装	56TSOP Type I