日经新闻 3 日报导，全球第 2 大 NAND 型快闪内存（Flash Memory）厂商东芝（Toshiba）将在 2017 年度采用被称为“纳米压印（Nano-imprint Lithography，NIL）”的新技术，生产使用于智能手机等产品的 NAND Flash，藉此可让曝光工程（形成回路的工程）成本压低至采用现行技术的三分之一水准，就整体制造工程来看，预估成本有望删减约 1 成。
报导指出，东芝正和大日本印刷（DNP）、Canon 持续研发 NIL 技术，以期望藉由提高成本竞争力，对抗韩国三星电子。
据报导，东芝计划今后 3 年内对半导体事业砸下 8,600 亿日元进行投资，其中部分资金将用来整备采用 NIL 技术的 NAND Flash 产线，且计划于 2017 年度开始进行生产，之后并计划利用预计于 2018 年度启用的新厂房进行量产。
因现行技术已难以进一步提高半导体性能，故包含东芝在内的全球半导体大厂正积极进行次世代技术的研发，而除了上述的 NIL 之外，荷兰设备厂 ASML 在获得美国英特尔（Intel）、韩国三星的支持下，正进行“极紫外光（EUV）曝光”技术的研发。
