台积电极速冲向7nm:Intel都快急死了

2015-07-20 18:57:54 来源:mydrivers

半导体行业,谁抢先掌握了最先进的制造工艺,谁就可以呼风唤雨,而在技术日益复杂、摩尔定律几近失效的今天,先进工艺的重要性就愈发凸显,Intel这样的大拿也有些吃不消,22nm、14nm接连掉链子。

台积电其实也不是很顺利,40nm、28nm时代就两次严重滞后,20nm又一门心思为苹果服务,接下来的16nm完全被三星14nm抢走了风头,但是对于未来,台积电又画了一张大饼。

台积电总裁兼联合CEO Mark Liu近日透露:“我们的10nm工艺开发最近进展非常令人激动,也符合我们的计划。技术性风险试产定于今年年底,后续就会有大量客户产品的验证。批量生产将从2016年底开始。

要知道,台积电16nm也才刚刚迈入量产的门槛,而且要到第四季度才会提上规模,即便如此苹果A9的订单也被三星抢走了30%。

按照台积电一贯的说法和做法,10nm真正量产至少要到2017年第一季度。事实上台积电另一位总裁兼联合CEO C.C. Wei随后就补充说:“我们将在2016年第四季度投产10nm,不过真正的产品出货会在2017年第一季度。

不过这也基本能保证领先于Intel,后者的10nm平台原计划在2016年第二季度推出,但已经大大推迟,虽无明确时间但肯定得到2017年第二季度了。

台积电表示,相比于现在的16nm FinFET+,10nm FinFET (CLN10FF)工艺能将晶体管密度提高110-120%,同等功耗下频率提升15%,同等频率下功耗降低35%。

更进一步地,台积电计划在2018年的某个时候投产7nm,如能实现将彻底领先Intel,后者的7nm还没时间表,但照现在这个样子,怎么也得2019年了。

当然,IBM更猛,已经造出了7nm试验芯片,但投产时间未定,三星、GlobalFoundries将从中获益匪浅。

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