日志
双极型晶体管
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双极型晶体管的基本结构--BJT Bipolar Junction Transistor
NPN型三极管的结构
N：集电极C，集电区与基区的较大接触面积，掺杂浓度最低；
P：基级B，基区薄，掺杂浓度次之；
N+：发射极E，高掺杂浓度；
正常工作条件下，发射结正向偏置，集电结反向偏置。
双极晶体管的工作模式
正常，正向有源：正偏（发射极-基级），反偏（集电极-基级）
饱和：正偏（发射极-基级），正偏（集电极-基级）
截止：反偏（发射极-基级），反偏（集电极-基级）
反向：反偏（发射极-基级），正偏（集电极-基级）
当发射结正偏，p-n结电流由电子电流和空穴电流组成，电子被注入到基区，然后扩散通过基区，最后被集电区收集。基区（p型）对电子呈现势垒，不会收集电子。发射结加正偏压，pn结势垒降低，有利于多数载流子（电子）从发射区流向基区，形成发射电流。
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