于2017年6月10日开通此博客,记录一个IC设计者的生活和学习点点滴滴。每天一篇博文,激励自己不断学习进步。

《模拟CMOS集成电路设计》 拉扎维著

上一篇 / 下一篇  2017-06-12 14:12:03 / 个人分类:IC 学习

最近几日闲下来,准备再次研读下拉扎维,巩固下基础的东西。主要关注课后习题的计算和仿真验证。今天从一个MOSFET的结构入手。考虑了器件位于cut-off region saturation region triode region的I/V特性公式推导。和transconductance的计算。二级效应考虑了亚阈值特性、沟道长度调制效应、体效应的原理和相关公式的推导。

学习了MOS电容等效模型:
可以看出当MOS 的 D/S/B端短接,G端接不同电位时整个MOS管容值不同。若考虑不同case下或不同corner下的器件失配。在对精度要求高的RC振荡电路中不适合使用MOS电容。



TAG: 集成电路 拉扎维 学习

 

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