在本课题的研究过程中主要用到了以下一些分析方法:
推球测试:也叫剪切测试.是利用剪切劈刀以固定的速度和高度推动键合点,可
以得到一个导致键合点断裂分离的力一剪切力(banshear).判断推球测试是否合
格的标准是看剪切力是否在规定的范围之内,是否有很高的稳定性,以及键合点
断裂的失效模式.正常的失效模式应该是看到铝层断裂,且焊盘上有明显的引线
金属残留和合金残留.
拉线测试:是用钩针从引线下面向上以固定的速度将引线拉离芯片,也可以得
到一个导致拉离的力一拉伸力(wirepull).判断拉线测试是否合格的标准是看拉
伸力是否在规定的范围之内,是否有很高的稳定性,以及拉伸断裂的失效模式.正
常的失效模式应该是断在离球键合点较近的引线颈部,因为此处的塑性变形损伤
较大.有时也会断在线中间,也属正常情况.
弹坑测试:是为了检查球键合时是否破坏到芯片铝垫下的电路.通常将打好线
的芯片浸入到某种化学试剂中,铝垫被腐蚀掉,引线球也自然脱落.然后在高倍显
微镜下观察芯片铝垫下的结构,如平整无裂痕,说明球键合没有破坏到铝垫下的
电路如有裂缝或弹坑,说明球键合的参数不适当,对铝垫的应力冲击太大.
由于铜线的硬度比较大,较金线更容易破坏铝垫结构,因此弹坑测试是铜线键
合的参数调试中一项必不可少的检查和评估项目.
电性测试:芯片都被设计有一定的电性功能.因此在芯片制造完成后一般会进
行针测,良品才会进行封装.封装完成后还会进行最终测试,确保送给应用电路板
组装厂的都是良品.由于封装过程中主要引起的都是开路短路失效,因此封装业
者在一些工艺评估中比较更重视开路短路类的失效模式.但是最严谨的做法还是
同时参考覆盖芯片所有功能的最终测试结果.
SEM/EDX:扫描电子显微镜可以进行很高倍数的表面形貌观察.其配置的元素
成分分析功能还可以识别大多数元素的存在与否和粗略的含量比例.
本课题主要用推球,拉线和弹坑测试评估铜线键合的参数,用电性测试评估铜
线键合产品的电性能以及可靠性老化之后的电性能,用SE叨EDX对各种的芯片
铝垫结构进行了观察的分析,得出了不同的结构对铜线键合的适用程度,还用
EDX测量了铜线烧球后的氧化程度,以及铜铝IMC的分布等