这是4年前第一次读TD-LTE的spec后当时记下的笔记。错误很多。2年前测试LTE还不错。没有进一步做挺可惜。

TD-LTE 射频概述

39频段 （1880 - 1920 ）： 中国规划的频段
33频段 （1900 - 1920 ）： 34频段 （2010 - 2025 ), 40频段  (2300 - 2400 )为全球漫游频段
38频段 （2570 - 2620 ）：欧洲频段
35，36,37 （1850 - 1910 ； 1910 - 1930； 1930 - 1990 ）：美国频段

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带宽： 1.4M，3M，5M，10M，15M,20M；这里的带宽是实际发射的最大带宽。比如，在5M的带宽下，可以发射部分子载波（这样实际的带宽比最大带宽小）。

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TD-LTE的终端射频指标要求：
发射：
参考点为天线连接口，天线gain假设为0dBi；
max power：23dBm +/-2dB； （假设PA gain为28dB，transceiver输出为-5dBm）；这个指标对transceive和PA都不算难（中规中矩）。+/-2dB也算（中规中矩）。
在64 QAM下最大功率还可以降低<= 2dB, 真是贴心的系统spec定义啊

min 输出功率：-40dBm（测量带宽为名义带宽的90%）。 如果PA没有高低 gain的选择，那么transceiver就需要最小到-70dBm，这时的LO leakage将是一个问题。LO leakage最关键的问题是up-mixer的 DC-offset问题，同时LO直接馈通也是一个问题。需要做特殊处理才能做到-70dBm的LO leakage。如果PA的gain有高低gain，比如高gain 为30dB， （mid gain为option），low gain能到5~10dB，这样LO leakage< -50dBm,嘿嘿，就万事大吉了。

发射机关机功率： -50dBm，PA关掉，transceiver关掉。transeiver可以很快关掉，主要是看PA的关掉timing是否符合要求，这是一个PA的指标。

开关时间模板：前后都有20us的过渡时间，过渡时间里面的功率不算。然后一帧时间里德功率算测到的功率。

绝对功率控制：终端发射的第一个帧里面，指定一个功率，实际得到的功率。这时系统没有做功率控制。全靠基带芯片，transceiver和PA的功率绝对值准确度。在手机生产时，会做一个功率校正的动作，就是把指定值和得到的功率实际值之差记录下来，然后在BB的TX I/Q幅度里面做补偿。问题是PA会随不同module，温度和电压，输出功率有变化，transceiver同样有这个问题。这样每个功率去校正时，需要考虑温度，电池电压，和输出的不同功率点，导致需要记录的点很多，需要测试的时间很长。为了解决这个问题，就需要PA和transceiver的功率控制最好线性，或者至少不能变化很大。这样手机生产时，只要校正有限的几个点，其余点的补偿值通过内插的方式简单计算得到（这样最关键的是节省测试时间，时间就是金钱，这量产测试里面这绝对是真理！做过的人才能理解）。指标为+/-9dB，容易。

相对功率控制：还是比较宽松的。

EVM： 12.5%。 -18dB，很轻松。不过一般需要做到-30d以下。

载波泄露： 高功率下：-25dBm；如果PA为30dB，则需要到-55dBm；低功率下-50dBm，如果PA还为30dB，就惨了。PA必须降到至少10dB gain，对transceiver要求不要超过-60dBm；PA带bypass mode最好。

带内IQ，-25，太松。设计至少要到-30~-35dB; 带校正至少要到-40以下；

带内平坦度：+/-4;太松；

辐射模板：一般都没什么问题，要注意PLL的reference spur。
ACLR：30dB/36dB；还算比较松

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TD-LTE的终端接收指标要求：
灵敏度：NF + insert loss + Min SNR < 6.3dB; NF需要< 4dB; insert loss<1.5dB, min SNR < 1dB
测试条件是白噪声+参考信道调制（QPSK）。