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ic layout设计中的几种功率管(power mos)版图(转)

热度 5已有 9458 次阅读| 2013-7-24 10:39

ic layout设计中的几种功率管(power mos)版图

2011-7-30版图设计icmospower版图被查看5,990次
  1. 常规连线
    优点:提供了源极和漏极间最大可能的金属连线数量,使连线宽度最大化
    缺点:产生额外压使器件中的电流分布不均匀
    power_mos_1
  2. 对角连线
    优点:逐渐变细的总线可以减小偏置效应,使电流均匀分布于晶体管各叉指。
    power_mos_2
  3. 华夫饼式
    优点:面积最省
    缺点:a)没有考虑金属边线影响;b)沟道存在大量转弯;c)没有背栅接触。
    power_mos_3
  4. 曲栅式
    曲栅增加了栅极的宽度,使栅极捏死紧密,可以轻易地容纳分布式背栅接触孔,栅极135度弯曲不易发生局部雪崩击穿,源和漏接触孔对角放置增加源、漏限流作用,改善器件稳定性。
    power_mos_4

4

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发表评论 评论 (1 个评论)

回复 hehuachangkai 2021-6-21 09:39
有人用过这几种画法验证过吗?效果如何

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