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美国NASA推出新型纳米离子射频开关

已有 1039 次阅读| 2017-5-26 22:24 |系统分类:芯片设计

美国NASA推出新型纳米离子射频开关


作者:电科渝绵 来源:公众号  2017-05-26 09:20:46 填写您的邮件地址,订阅我们的精彩内容:

摘要:美国NASA(美国宇航局)格伦研究中心研制出一种新型的纳米离子射频(RF)开关,非常适用于依赖低功率RF传输的设备,如汽车系统、RFID技术以及智能手机等。

关键词:美国NASA[0篇]  纳米离子射频开关[0篇]  RFID[14263篇]  

  美国NASA(美国宇航局)格伦研究中心研制出一种新型的纳米离子射频(RF)开关,非常适用于依赖低功率RF传输的设备,如汽车系统、RFID技术以及智能手机等。这些开关能够以半导体开关的速度运行,并且相比MEMS开关可靠性更高,同时具有MEMS开关所具备的优异的RF性能和低功耗优势,而且无需更高的运行电压。

  这款可逆的电化学开关相比微机械开关的优势包括:无挥发性、无可能失效的可动部件、方便且高效的开关切换以及易于制造。

  纳米离子开关的原理:阳极产生离子,并迁移形成固态电解质,当在两极施加一个正偏置电压时,负极会逸出电子,从而在正负极之间生长金属纳米线。一旦纳米线生长到在两极之间形成导电通路,则开关闭合,不像MEMS或基于半导体技术的开关,此时便不再需要电能来维持联接。而联接的过程很容易通过施加一个负偏置电压而逆转,使纳米线移除从而实现开关打开。联接和断开的过程大约仅需1纳秒。

  纳米离子材料可以通过这种方式沉积从而形成多层控制电路,能够潜在的缩小电路尺寸,降低整体电路损耗,并简化集成。这款开关比MEMS开关(50-60V),其供电电压仅需1V,并且,仅需采用5步传统的集成电路制造工艺便可制得。



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