采用smic 55nm工艺做后仿真问题

maomaozhu · 发表于 2023-11-3 14:10:00

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1、我们用55 nm工艺做了一个动态比较器，电路如下：

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在PMOS器件的N阱到彻底存在寄生的二极管，parasitic_nwd。这个二极管，正常的寄生电容大小应该是在几十个fF大小。

maomaozhu · 发表于 2023-11-3 14:15:13

2、下图是我们在网表中定位到得这几个寄生二极管，从仿真结果分析，这几个寄生二极管上的等效电容大小约接近1pF。我们在网表中手动修改了他们的面积和周长，但是仿真结果毫无变化。
图片1.png

3、这个是二极管两端的电压和电流

可以看到，二极管在反偏状态下，泄放电流达到100uA级别，从而可以计算出其等效电容接近1pF。
4、请问有人遇到过同样的问题吗？我们不太清楚是parasitic_nwd这个器件模型的问题，还是仿真器的问题？

a2532927 · 发表于 2023-12-30 13:25:13

求库

binnq · 发表于 2024-1-24 09:40:31

感谢

caca29 · 发表于 2024-2-19 17:10:10

parasitic_nwd 模型和 nwd的模型基本上是一样的，只是在LVS中便于区分，可以控制是否提取parasitic diode,才取两个名字

liuzhuozhuo · 发表于 2024-4-22 21:21:27

请问大神有smic55nm库吗？打扰您

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