RE: 带隙基准工作电流大小问题

hi_china59 · 发表于 2009-8-25 22:15:52

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带隙基准工作电流大小问题
http://www.eetop.cn/bbs/viewthread.php?tid=188157&page=1#pid2712324

weixiao_1982's question: 请问带隙基准基准中，三极管的工作电流大小如何设计了？我看了很多的文献，有的带隙的功耗为几百微瓦，有的为几十微瓦。那就是说三极管的工作电流可能有一个数量级的差别，从10微安到几百微安。请问对带隙的三极管的工作电流有啥要求，有最小值限定吗？

Q: 请问对带隙的三极管的工作电流有啥要求，有最小值限定吗
Answer: Please read the attached file.

USTM · 发表于 2009-8-26 11:27:11

看你的功耗要求嘛~~~ 做过一个芯片(硅验证，未量产)，带隙基准功耗几百个nA，工作起来也很正常

[ 本帖最后由 USTM 于 2009-8-27 09:42 编辑 ]

davidxi1982 · 发表于 2009-8-26 21:07:35

研究研究

大大山 · 发表于 2009-8-26 22:24:29

不同工艺，要求不一样

robberxiong · 发表于 2009-8-27 14:47:31

从器件工艺角度来说，只有几百nA电流的带隙基准源，需要MOS管工作在亚阈值区，准确的模型难找，而且在这个区域工作的MOS管性能类似biploar管，性能不稳定，漂移大，所以我也赞成楼上的说法，牛人也很难作出几百nA电流的带隙基准源。

lsh0211 · 发表于 2009-8-28 19:58:56

原帖由 robberxiong 于 2009-8-27 14:47 发表

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从器件工艺角度来说，只有几百nA电流的带隙基准源，需要MOS管工作在亚阈值区，准确的模型难找，而且在这个区域工作的MOS管性能类似biploar管，性能不稳定，漂移大，所以我也赞成楼上的说法，牛人也很难作出几百nA电流 ...

看看ieee的paper，专门使用工作在亚阈值区的mos作为基准，彻底抛弃bjt。当然精度是不能和bjt做得比。
看我的回复http://www.eetop.cn/bbs/thread-188157-1-1.html
"我不久前做得，8:1的管子，电流300~400nA，实测：bandgap标准方差12mv（测试3万片得到)，就是温度系数很奇怪! Vbg=1.16 TC=+110ppm , Vbg=1.12TC=+30ppm。电压都低至1.12了，还是正温度系数！奇哉怪哉！谁能帮忙分析一下?大家做得最低的电流是多少？"

[ 本帖最后由 lsh0211 于 2009-8-28 20:09 编辑 ]

xxdtju · 发表于 2009-8-28 21:34:58

楼主为什么另开一帖呢？

lipenghbu · 发表于 2009-12-23 23:12:42

学学~

andyluyi · 发表于 2009-12-26 00:44:35

学习学些

feiying68 · 发表于 2010-3-16 22:57:14

今天刚测了下流回来的基准源偏置，亚阈值型的，300na左右，有一片的温度系数在20左右，其他的两片在50左右

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