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看到网上有个同学发了个贴说说师兄给的忠告，还是不错的，那我也来聊聊吧。
本人研一，交大微电子的，刚转入模拟方向，希望各位大侠不吝赐教，也把师兄给我的忠告贴出来，以飨像我一样的初学者，以下为正文：
我学习模电有一段时间了，向大家推荐几本自认为的"宝典"，谈下自己使用它们的感受以及在学习模电过程中的体会，供后来者参考：
1. 拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》，我们研二模电课的教材，汪宁老师把这门课讲得可圈可点。当时没意识到有其他书，于是我就把此书读了好几遍。此书内容多摘自较新的论文，还未得到工业界的实践论证，所以一大特点就是pitfalls较多。但不失为为大家提供很多深入研究主题的sourcing。
2. Phillip E. Allen的《CMOS模拟集成电路设计
第二版》，此书工程性很强，适合有一定CMOS模电理论基础的人读。当时由于毕设想做ADC，于是接触了此书。读后感觉Phillip通篇都是为了写ADC而写此书，值得一提的是5、6、7章把OP-AMP写得非常精彩。
3. 强力推荐的是Paul R.
Gray的《模拟集成电路的分析与设计》，堪称模电之Bible，鄙人最近正钻研此书，惜得宝书有种相见恨晚的感觉，很是上瘾甚至有点欲罢不能。此书是UC Berkeley的EECS系为EE140和EE240专门指定的教材，可以说是汇聚了berkeley的精华，berkeley之精华乃silicon valley之精华，siliconvalley之精华乃IC之精华。阅读此书（英文版），你一定能体会到Paul这位Godfather思维之严谨、论证之严密，条理之清晰，该书的一大亮点就是把bipolar和CMOS作为counterpart很好地结合在了一起讲，能带给读者一完整的transistor级IC的概念。推荐必读。EE140在Berkeley是由大牛Rorber R.Broderson（全哥以前的boss）在教，comic上有他的视频，我坚持上完了他整个一学期的课，感觉收获相当大，似乎感觉自己身体里的血液都是Analog做的，你不可能不喜欢上他。
4. Alan Hastings的《模拟电路版图的艺术》，该书连同Paul那本一起作为在Berkeley的
EE240的教材，它帮助你从一个电路 designer的角度来看工艺，又能从工艺的角度来反哺你设计的circuit,
是一致公认的优秀后端教材。
5. Robert F. Pierret的《半导体器件基础》相比于施敏的那本上手来得更容易，相信研一的诸位大多读过此书。Berkeley
的EE130是由Prof. King(Tsu Jae)来教，有志投身analog或者device的同学最好把energy band，pn junction, BJT和 MOS的基础打牢。顺便提一句，有关"信号与系统"和"控制"方面的知识也是必须的，特别当涉及到高频和稳定性设计时就显得格外必要。
6. 可能有部分同学打算投身RF，那么推荐Thomas H. Lee的《The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits Second Edition》,绝对权威。此书我还没研究过，就暂且不发表评论了。
个人觉得，能够有机会多从不同角度观察不同学者对某一subject的讨论是一件很幸运的事，拜读这些大师们（Paul Gray, R.G.
Meyer, S.H. Lewis, Paul J. Hurst, Thomas H. Lee, Alan Hastings, R.Broderson等等, 特别是Berkeley的五人组）的著作能帮助我迅速打开自己的思路，提升对这一学术领域的认识。此外，UCBerkeley作为美国公立大学的典范，代表了那种出身贫寒但却不畏权贵、勇于抗挣、挑战特权和精英（Harvard, Yale,Stanford）的精神，令人钦佩。朝去朝来，日月轮回，对于我们这里的每个人来说，也都不过只是这个学校的匆匆过客，带走的是我们的知识和理想，留下的是我们宝贵的"学脉"。
写的还是不错的，不过这些书大家都知道，大家也都看，可为什么大家水平参差不齐啊
哈哈，说白了这只是些入门的书籍而已。我不是说这些不重要，而是非常基础的东西，一定要扎实掌握灵活运用。但是看这些书显然不能做project的呀
交大微电子，上海交大吧，不是数字挺强的么，模拟不太清楚哦
反正我们是从最低层学起的，量子力学，固体物理，半导体物理，半导体器件，模拟集成电路设计，数字集成电路设计等等
（1）拉扎维的模拟cmos我们大三就看是学的吧，记得那时候还是第一次开这个课选学，开始大家热情那叫一个高啊，结果最后考试的时候，好多人都把这个课退了，拉扎维书是写的深入浅出，比较易懂的，但是最大的缺陷就是没有教会学生一套设计方法，连做个OPAMP都困难，看似他书上的opamp都画在那里，但是又有几个学生能把那个东西做好啊，害得大家在那里调啊调的，其奇怪怪尺寸能行么，layout怎么画呀，原因是什么？就是他没教会大家做bias，opamp用电压偏置是不行的。这就是设计方法上的问题，拉扎维自己当然明白，但是他没有写出来教会大家。
（2）Allen的书确实实际一点，大家照着他书上的做还能做出东西仿真能work，于是乎大家很高兴，但是终究内容有些浅显，或者说是易学吧，但真要照着书做东西还是不行的。比如要做ADC，照着Allen书上是决然做不出来的，那只是一些最基本的知识，只是一个入门，但这个门槛很低的入门对大家也是莫大的帮助，教科书做到这样已经不错了。
（3）P.R Gray那是厉害人物，就教父之称，他的书自然是严谨咯，大量的逻辑推导把我也快推倒了，不过还是看了一些的，现在公式差不多都忘记了。他的书就会全面一些，bipolar也会有，但也是基础的东西，是入门。（有仁兄对我的入门说很愤怒，哈哈，我从来没说过基础的东西不重要，恰恰很多时候虽然做不同的东西，但却用着同样的知识，那个这个就是精髓是本质，或者说是在这一领域普适的内在规律）
（4）版图艺术也粗略看过，现在影响不是太深了，应该还是能学到一些东西的吧，不过layout终究是要自己画了才知道的，我一直认为layout engineer终究不会比circuit engineer自己画的layout更好的，因为只有自己才知道自己的circuit想做成什么样子，什么地方需要match，什么地方需要注意parasitic。
（5）半导体器件么，记得施敏到学校来给我们讲过两个月的课，当然之前我们都是学过半导体物理和器件的，听了一下，也没有记住多少，终究我们不是做器件的，我们只要有最基本的常识就可以了，不要与人聊起来是鸡对鸭讲就可以了，真的要用的时候，还能翻书找到在哪里就OK了，就像前一阵子和一个退休了的VP讨论为什么p-type和n-type的电导率不同，于是记得hole 与electron的effective mass是不一样，还在刘恩科的书上找到了。
（6）关于RF也学过一下，还行吧，也没能深入，人的精力是有限的，有些东西需要知道一点，等真正要从事这项工作的时候才深如下去。
我觉得做电路，精髓或者说本质是一样的，不管你做analog还是RF，是ADC还是PLL，有些地方是通的，或者说是都需要care的。据说曾经高人说做的电路要感觉到自己是电子，在电路中流动。哈哈，真是出神入化哦，不过正如拉扎维所说，知觉还是很重要的。
最后不要对电路设计抱有太多希望，昨天还和同学聊天，大家都觉得这个行业没有太大希望了，对于我们这些新入行的人来说。
也希望大家有好运吧
这位仁兄误解了吧，你说最起码要告诉大家一个常识是吧，不要把大家引向歧路
我也不想争论什么，只是想告诉大家一些基本的东西，比如power supply要用一些业内都认同的东西
比如客户三星会接受你1.3几V或1.4V的design么，不被人骂死才怪！
我们做出来的东西是给客户用的，不是闭门造车，当然碰到特殊情况会有特殊的solution也不奇怪
我没有说subthreshold可怕，而且model应该还是挺准的，只是在做出来的东西margin不大
在不同情况下是不一样的，
比如：1.2V power, opamp的cascode或者input pair你做成subthreshold当然问题不大，因为上下都有headroom啊，还能cover 住corner，但是你在0.5V power下试一试，或者说我没有那个水平保证yield,也许有牛人可以，但我也不羡慕，我们都是普通人，做常规的东西就满足了。
还有说到subthreshold，我不想争辩但还是不想误导大家
subthreshold在很多情况下没有优势的，
增加一倍的size才换来十几或几十mV的headroom，有人要gm大，但是增加一倍的size才换来10%的gm，而且速度会大幅下降。
这样的design完全是trade-off，看值不值得去这么做
有人兄弟说我调侃，我没有丝毫显摆的意思，也没有资本显摆，毕竟才入行一年多。
analog领域当然很高深咯，可是在中国看不到什么前途，大家都在底层混迹，在外国也不是一个朝阳产业，我觉得做IC的有时候有些自我感觉良好，那样不好，曾经在学校被灌输过“万般皆下品，唯有模拟高”可发现现实不是这样
残酷的现实摆在那里，很多人说过，咱们就是高科技的民工
坛子有些兄弟对我对subtrheshold的看法有些不同的想法，我也想和大家交流一下，互相提高。我先前也说过电路中有些MOS管在subthreshold问题不大，应为上下都有headroom，但是有一些却不行，比如电流镜，如果做成subthreshold就会有很大的风险，不知道你做过current steer DAC没有，current matching是靠什么来保证的，是靠大的vdsat/Vod和device size来保证的。如果是subthreshold current mirror的话，有那么几mV的offset就是使得镜像的电流偏出几十%甚至差数量级了。所以说如果整个系统的设计风格都是用subthreshold的话，那么将来的production的variation会很大，yield想必不会好。但是如果必不得已需要非常低的电压，那只能在两者之间进行trade-off，是不是要去take risk。这只是我个人的一点浅见。
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发表于 2010-1-10 12:54:03
楼主
