标签: 存储器

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问：pci的vhdl编址问题	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	showting 2004-9-17	2 1843	freebirdli 2004-10-9 11:10
[请教]veriolg为什么不能导入图像文件？	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	zsx291 2005-11-22	4 2487	tianhuah 2006-4-5 03:38
[推荐]（军品）FPGA，DSP，存储器，1553和429总线板卡,高温，抗辐射等产品。	数字IC设计资料(IC前端\|FPGA\|ASIC)	weizhiyong 2006-2-4	1 3218	sunecho 2009-8-31 10:17
[求助]求助：请问哪位兄弟知道如何向fpga中导入mp3和mp2文件	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	liaoyumin01 2006-3-27	0 1977	liaoyumin01 2006-3-27 21:34
谁有存储器的vhdl源程序	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	7867 2003-8-26	16 4780	ser4ph 2006-12-7 21:56
请看一下这样简单实现组合逻辑关系，可不可以？第一次自己写程序，请多指点！！	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	fanqiongjian 2003-9-8	13 4279	fanqiongjian 2003-9-9 18:18
fpga开发板	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	zhuoyue 2003-10-25	7 2281	zhuoyue 2003-10-26 10:06
fpga 实验开发板（附照片）	数字IC设计资料(IC前端\|FPGA\|ASIC)	zhuoyue 2003-12-11	17 8068	chizya 2009-11-20 13:55
vhdl写的pci配置寄存器下载与计算机检测顺序	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	showting 2004-10-3	0 1668	showting 2004-10-3 18:53
请教几个关于存储器的问题	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	lyu 2005-3-11	0 1686	lyu 2005-3-11 20:37
[求助]有关综合ram的问题，大侠帮忙,	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	joos 2005-5-25	1 1996	jingli888ca 2005-7-23 15:07
[求助]有关flash的使用	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	ljnit 2005-8-8	0 1855	ljnit 2005-8-8 12:05
是不是所有的fpga都要外挂存储器？请各位高手指点！谢了！ (无内容)	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	taqag99 2006-6-21	8 3224	nifan1977 2006-7-10 15:43
请教：存储器问题，是EEprom还是flash还是别的~~	数字IC设计讨论(IC前端\|FPGA\|ASIC)	johnbenben 2004-8-16	3 2430	hikerwang 2014-10-17 15:04
求动态存储器的资料	CPU设计杂谈	含笑草儿 2004-6-15	18 4452	windrf 2010-5-16 19:38
方舟2	CPU设计杂谈	rocky77 2004-7-29	13 4547	robinfit01 2011-6-17 11:38
2005年国际超级计算大会观感	CPU设计杂谈	lingcore 2006-1-25	3 3185	lingcore 2006-1-29 08:07
高频下电容的使用经验和原则	电路设计论坛	飞越无限 2003-8-15	107 22239	snowwolf517 2007-4-30 23:50
高速模拟板设计求教	电路设计论坛	dragonyoo 2003-8-25	6 3649	hrgwang 2003-10-15 10:48
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分享静态存储器SRAM介绍: ramsun 2022-9-27 15:19; SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来，SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。 SRAM 它实际上是一个非常重要的存储器，用途非常广泛。SRAM数据完整性可以在快速读取和刷新时保持。SRAM以双稳态电路的形式存储数据。SRAM目前的电路结构非常复杂。SRAM大部分只用于CPU内部一级缓 ...; 个人分类: SRAM|943 次阅读|0 个评论

分享存储器: 王悦心 2021-9-3 11:35; 浮栅 Flash最基本的单元为浮栅场效应管。这种MOS晶体管有两个多晶硅形成的栅极, 其中一个有电气连接, 叫控制栅 , 也就是一般意义上的栅极; 还有一个没有外引线, 它被完全包裹在一层二氧化硅介质层里面, 是浮空的, 所以称之为浮栅。工作原理浮栅MOS晶体管的工作原 ...; 0 个评论

分享 Everspin代理非易失性256Kb串口mram存储器MR25H256ACDF: ramsun 2021-6-16 17:07; MRAM 是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车、工业、军事和太空应用。下面介绍一款Everspin非易失性256Kb ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|0 个评论

分享掘金大数据存储市场,供应商还需解决哪些难题?: ramsun 2021-3-24 14:50; 2021年全球存储产品全线提价。2月底的DRAM、内存模块、 NAND FLASH 、NOR Flash等的价格均出现调涨。以内存的价格为例——DRAMeXchange数据显示，截至今年2月3日，8Gb DDR4内存颗粒报价达到3.93美元，去年8月的报价仅为2.54美元。去年下半年因疫情管控、停电、产能紧张、超额预订等问题突显，加上晶圆代工 ...; 个人分类: SRAM|1 次阅读|0 个评论

分享 SDRAM与DDR的主要差异: ramsun 2021-2-5 15:07; 内存可分为DRAM动态随机存取内存和SRAM静态随机存取内存两种。两种存储器都是挥发性的内存， SRAM 的主要使用flip-flop正反器，通常用于快取(Cache)，而DRAM则是使用电容器及晶体管组成。 DRAM中又以 SDRAM 同步动态随机存取内存在近几年来最广为使用，SDRAM最重要的就是能够“同步 ...; 个人分类: SDRAM|2903 次阅读|0 个评论

分享如何为系统选择合适的NAND FLASH: ramsun 2020-12-10 14:48; 在设计使用NAND FLASH的系统时选择适当的特性平衡非常重要。闪存控制器还必须足够灵活以进行适当的权衡。选择正确的闪存控制器对于确保闪存满足产品要求至关重要。 NAND FLASH 是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型，低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时，需 ...; 个人分类: flash|0 个评论

分享关于ram的结构和读写过程: ramsun 2020-12-9 14:28; ram也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外）且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。ram工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。 ram在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。随机存取存储器（ ...; 个人分类: RAM|1496 次阅读|0 个评论

分享 ram中的存储单元: ramsun 2020-12-1 15:38; 按照数据存取的方式不同， ram 中的存储单元分为两种:静态存储单元一静态RAM(SRAM);动态存储单元—动态RAM(DRAM)。 1.静态存储单元(SRAM):它由电源来维持信息，如触发器，寄存器等。静态存储单元( SRAM )的典型结构: T5、T6、T7、T8都是门控管，只要栅极高电 ...; 个人分类: RAM|0 个评论

分享 MRAM与现行各类存储器的比较: ramsun 2020-11-25 14:37; MRAM在读写方面可以实现高速化，这一点与静态随机存储器(SRAM)类似。由于磁体本质上是抗辐射的﹐MRAM芯片本身还具有极高的可靠性，即MRAM本身可以免受软错误之害。 MRAM可以做到与动态随机存储器(DRAM)类似的高密度，而且还具有读取无破坏性、无需消耗能量来进行刷新等优势，因为磁体没有漏电(leakage)之说。M ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|1 个评论

分享新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式市场: ramsun 2020-11-20 15:49; 新兴的记忆已经存在了数十年。尽管有些人已经发现嵌入式技术在商业上取得了一定程度的成功，但它们也落后于离散存储器的高性价比替代方案。尽管具有更高的性能，耐用性和保留性，或者降低了功耗。磁阻随机存取存储器（ MRAM ）最早于1980年代开发，并被推广为通用存储器。与其他存储技术不同，MRAM将数据存 ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|1915 次阅读|0 个评论

分享单片机系统ram的低功耗测试方法: ramsun 2020-11-10 15:57; 在各种单片机应用系统中,存储器的正常与否,直接关系到该系统的正常工作。为了提高系统的可靠性,对系统的可靠性进行测试是十分必要的。通过测试可以有效地发现并解决因存储器发生故障对系统带来的破坏问题。专注于销售各种存储芯片供应商英尚微电子介绍常用的单片机系统RAM测试方法，并在MARCH-G算法的基础上提出了一种低 ...; 个人分类: RAM|1984 次阅读|1 个评论

分享高耐久低成本NRAM原理大揭秘: ramsun 2020-9-9 14:26; 对比别的存储器，纳米碳管运行内存(NRAM)是一个近些年出現的新东西，它具备众多优点：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM的可扩展性和对闪存的超强耐久性的潜力。它比基本上全部新起存储系统（PCM， MRAM 和ReRAM）都更贴近通用性存储器。他们一般用于更换闪存芯片，因而NRAM在理论上既能够更换DRAM，还可以更换 ...; 个人分类: RAM|1682 次阅读|0 个评论

分享新兴记忆存储器终于出现了吗？: ramsun 2020-8-13 16:21; 新兴的内存技术已经出现了数十年，它们已经达到了一个临界点，在更多的应用中它们才有意义。到2029年，新兴存储器市场的总收入有望达到200亿美元，这主要是通过取代如今效率较低的NOR闪存和 SRAM 等存储器技术，甚至取代DRAM销售额的一部分。随着未来工艺的缩减以及规模经济的提高，它们还将与现有的存储器 ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|2050 次阅读|0 个评论

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