随着汽车电气化、5G通信、工业4.0市场的不断增长,基于GaN的主流设计正渐入佳境,势必推动2021年及未来功率半导体的需求增长。Nexperia GaN FET产品已与UAES在电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器等项目中开展研发合作。Nexperia氮化镓工艺技术基于成熟可靠的量产工艺,极低的开关品质因数(RDS(on) x QGD)和反向恢复电荷(Qrr)支持高开关频率,同时提供较低的功耗和更高效的功率转换。Nexperia的全球自有化生产基地使我们能够向市场提供真正符合车规级AEC-Q101的产品。