英飞凌科技股份公司今日宣布推出全新的TO-Leadless封装，该封装具备更低的封装电阻、显著缩小的尺寸和更好的EMI性能。最新一代的OptiMOSTM MOSFET采用该封装，用于叉车、轻型电动车、eFuse、负载点和电信系统等具备高功率和高可靠性要求的应用。
这种新型TO-Leadless封装适用于高达300A的大电流。由于其具备低封装电阻，因此能够在各级电压条件下，实现最低的通态电阻。全新封装相对于7引脚D2PAK封装，其尺寸缩小了 60%，这为实现十分紧凑的设计创造了条件。TO-Leadless的占板空间缩小了30%，因此，在叉车等应用中占用的板卡空间更少。另外，封装高度也降低了50%，这为机架或刀片式服务器等紧凑型应用带来了巨大优势。而低封装寄生电感则使EMI性能得到了改进。
“英飞凌凭借TO-Leadless封装成为首家推出0.75mΩ 60V MOSFET的半导体公司。这有助于减少叉车应用中的并联MOSFET数量，提高功率密度。”英飞凌低压功率转换产品资深总监Richard Kuncic指出，“这种封装可为客户需要最高能效水平和可靠性的高功率应用带来巨大优势。”
此外，TO-Leadless的焊点接触面积提高50%，从而导致电流密度进一步降低。这有助于避免在高电流水平和高温条件下出现电迁移现象，从而使可靠性得到改进。与其他的无引脚封装不同，TO-Leadless由于具备镀锡的沟槽式引脚，因此可实现光学检测。
这种新型封装是需要最高能效、非凡可靠性和最优EMI性能以及最出色热性能的高功率应用的理想之选。
供货时间
30V (最大电阻0.4 mΩ)、60V (最大电阻0.75 mΩ)、100V (最大电阻2.0 mΩ)和150V (最大电阻5.9 mΩ)TO-Leadless样品现已提供，预计将于2013年第三季度量产。
