采用TI GaN FET的封装产品,其热阻抗比性能最接近的同类产品还要低23%,因此可使工程师使用更小的散热器,同时简化散热设计。无论应用场景如何,这些新器件均可提供更大的散热设计灵活性,并可选择底部或顶部冷却封装。此外,FET集成的数字温度报告功能还可实现有源电源管理,从而使工程师能在多变的负载和工作条件下优化系统的热性能。
封装、供货情况
目前TI.com.cn上已提供四种新型工业级600V GaN FET的预生产版本,采用12mm x 12mm方形扁平无引脚(QFN)封装。TI预计工业级器件LMG3425R030将于2021年第一季度实现批量生产。评估模块可于TI.com.cn购买。TI.com.cn上提供多种付款方式、信贷额度以及快速、可靠的运输选项。