飞思卡尔半导体日前凭借推出专为无线网络应用的宏基站、中继站和家 庭基站的高性能而设计和优化的四款新器件，进入砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）市场。
这些器件适合低噪放大器和发射功率放 大器 – 它们是无线基础设备的两个基本组成部分，对它们来说，极高射频性能是至关重要的。此外，这些器件还专为低功耗而设计，从而提供优化的能效和长期可靠性。
飞 思卡尔是用于无线基站的硅片射频LDMOS功率晶体管方面的全球领导者，它拥有大量有关GaAs的专利，是首批开发基于GaAs技术器件的公司之一。飞思 卡尔不断发展的通用放大器（GPAs）系列基于InGaP异质结双极晶体管（HBTs）和GaAs异质结场效应晶体管（HFETs），该系列包括大量的射 频和微波应用。
飞思卡尔副总裁兼射频部总经理Gavin P. Woods表示：“飞思卡尔的高性能MMIC器件为需要高性能的应用，如3G和4G蜂窝式基站、中继站和家庭基站等，提供综合的射频有效解决方案。 在质量和可靠性方面，我们开发出与先进的LDMOS RF技术有相同标准的新款MMIC产品。此外，我们的GaAs MMIC提供软硬件工具，争取以最小成本获取最佳性能。”
MML09211H是增强型模式pHEMT MMIC的低噪放大器，非常适合从865 – 960 MHz频段的W-CDMA基站到728 - 768 MHz频段中当前正在实施的高数据速率的网络应用。该器件还提供特别低噪数0.6 dB，包括电路损耗，并支持从400至1400 MHz的运行。小信号增益在900 MH时为20 dB，P1dB输出功率为21 dBm，隔离为 -35 dB，以及三阶输出拦截点（IP3）在900 MHz时为32 dBm。
MMA20312B是一个2阶InGaP HBT功率放大器，专为无线基站、中继站和家庭基站的使用而设计。尤其是，对于家庭基站来说，该器件实现了高能效，同时符合线性要求。放大器范围从 1800到2200 MHz，在2140 MHz时提供的P1dB输出功率为31 dBm，小信号增益为26 dB。
同样，其他两个新宽带 MMIC放大器适合用作发射链中的驱动器放大器或者接收链中二阶低噪放大器。它们展示出具有比典型HBT解决方案更低的电流消耗的出色线性。 MMG15241H是一个覆盖500至2800 MHz的pHEMT器件，噪音数在2140 MHz时为1.6 dB， P1dB输出功率为24 dBm，IP3为39 dBm，以及小信号增益为15 dB。MMG20271H低噪放大器覆盖1500至2400 MHz频率，噪音数在2140 MHz时为1.8 dB， P1dB输出功率为27 dBm，IP3为42 dBm，以及小信号增益为15 dB。
为了与新的MMIC互 补，飞思卡尔还为MMG3004NT1、MMG3005NT1和 MMG3006NT1 GPA推出了应用板卡和射频特征数据。板卡和数据展示了实际基站发射器器件系列的MMIC功能。最新的数据显示，这些器件的电流消耗可比产品介绍中最初条 件下的消耗减少几乎50%，几乎没有任何线性损失。
新款MMIC是目前正在开发的很多规划的飞思卡尔MMIC器件中的第一批产品，涵盖热 门的无线频段和应用。
飞思卡尔的四个新款MMIC器件计划2010年6月限量打样，2010年8月进行大量样品供应。规划的产品支持包括参 考设计和设计者的其他支持工具。
