英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会（2010年5月4日至6日）上，推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT 模块的使用寿命。全新的.XT技术可优化IGBT模块内部所有连接的使用寿命。依靠这些全新的封装技术，英飞凌可满足具备更高功率循环的新兴应用的需求，并为提高功率密度和实现更高工作结温铺平道路。
英飞凌副总裁兼工业
电源部总经理Martin Hierholzer指出：“通过推出全新的.XT技术，英飞凌再次巩固了自己在IGBT模块设计和制造领域的技术领先地位。英飞凌在功率循环周次方面，树立了行业新标杆，可实现更高的工作结温。这些全新技术可满足各种要求苛刻的应用的需求，例如商用车、工程车和农用车或风力发电。”
全新.XT技术相对于现有技术，可使IGBT模块的使用寿命延长10倍，或者使输出功率提高25％。这种新技术可支持高达200°C的结温。
功率循环会造成温度变化，并导致IGBT模块内部连接部位产生机械应力。
芯片各层的热膨胀系数不同，会造成热应力，导致材料疲劳和损坏。全新.XT技术涵盖IGBT模块内部有关功率循环功能的所有关键点：
芯片正面的键合线、
芯片背面的焊接（
芯片至DCB）和DCB（直接键合铜）至基板的焊接。
这种全新的连接技术经过精心开发，可满足英飞凌现有的多数封装和全新的模块封装的要求。全部三种新连接技术都可是基于标准工艺，十分适用于批量生产。
