IR推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组，为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技术，还具有业界领先的性能指数 (FOM) 及 DirectFET 封装卓越的开关和热特性，成为一个为高频率 DC-DC 开关应用而优化的解决方案。
IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封装提供低于1 mΩ 的导通电阻，使整个负载范围可保持极高的效率。新器件配有单片集成式肖特基二极管，能够减少与体二极管传导相关的损耗，并能实现反向恢复损耗，进一步提高解决方案的整体性能。IRF6798MPbF 还提供仅为 0.25 mΩ 的极低栅极电阻，避免了与 Cdv/dt 相关的击穿。
IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具备低电荷和低导通电阻，可减少开关损耗及传导损耗，还可为快速开关提供极低的栅极电阻。
产品基本规格
器件编号 | BVDSS (V) | 10V 下的典型导通电阻(mΩ) | 4.5V 下的典型导通电阻 (mΩ) | VGS (V) | TA 为 25ºC时的 ID (A) | 典型QG (nC) | 典型QGD (nC) | 外形代码 |
IRF6798MPBF | 25 | 0.915 | 1.6 | +/-20 | 37 | 50 | 16 | MX |
IRF6706S2PBF | 25 | 3.2 | 5.3 | +/-20 | 17 | 12 | 4.2 | S1 |
公司网址：www.irf.com.cn
